Цифровой тестер транзисторов BSIDE ESR02 PRO Black
Код товара:
14082
Под заказ 3-4 недели
Подробности после оформления предзаказа.
Цена:
2 250
руб.
Юридическим лицам: (минимальная сумма заказа 10000 руб.)
2 250 руб., без НДС
Нашли дешевле?
В избранное
В избранном
Артикул производителя
BSESR02PB
Гарантия
1 год
Страна-производитель
Китай
г.Москва:
Cамовывоз (Гостиничная ул., д.3) —
сегодня
—
0 ₽
г.Москва:
Курьерская доставка (до МКАД) —
сегодня
—
350 ₽
Описание
Тестер электронных компонентов BSIDE ESR02 PRO – прибор для радиолюбителей, конструкторов и инженеров, занимающихся разработкой, диагностикой и обслуживанием электронного оборудования.
Это прибор очень прост в использовании. Проверяет SMD компоненты, тестирует различные диоды, транзисторы, тиристоры, mosfet транзисторы.
Определеняет тип подключенного компонента, цоколевку, коэффициент hFE (коэффициент усиления по току) транзисторов.
Характеристики:
Измерение сопротивления: 0-50 МОм. Разрешение: 0.01 Ом
Измерение ёмкости: 25пФ-100мФ. Разрешение: 1пФ
Измерение индуктивности: 0.01мГ-20Г. Разрешение: 0.01мГ
Питание батарея 6LR61
Разрешающая способность при измерении ESR - Equivalent Series Resistance (Эквивалентное Последовательное Сопротивление): 0.01 Ом
Запуск - однократное нажатие кнопки TEST с автоотключением.
Автоматическое определение N-P-N и P-N-P биполярных транзисторов, N- и P-канальных MOSFET транзисторов, JFET транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
Автоматическое определение расположения выводов элемента.
Измерение коэффициента усиления и порогового напряжения база-эмиттер биполярного транзистора.
Транзисторы Дарлингтона идентифицируются по пороговому напряжению и коэффициенту усиления.
Обнаружение защитного диода в биполярных и MOSFET транзисторах.
Измерение порогового напряжения затвора и величины ёмкости затвора MOSFET.
Измерение одного или двух резисторов с изображением символа резистора и точностью до 4 десятичных цифр. Все символы пронумерованы соответственно номерам щупов Тестера (1-2-3).
ESR конденсатора измеряется с разрешением 0.01 Ом для конденсаторов ёмкостью более 20 мкФ и отображается числом с двумя значащими десятичными цифрами.
Светодиоды (LED) определяется как диоды с прямым напряжением выше, чем у обычного диода. Два светодиода в одном 3-х выводном корпусе также определяются, как два диода.
Стабилитроны могут быть определены, если их обратное напряжение пробоя ниже 4,5 В. Они отображаются, как два диода, и могут быть идентифицированы, как стабилитроны, только по напряжению. Номера выводов, соответствующие символу диода, в этом случае, идентичны.
Измерение величины ёмкости одиночного диода в обратном направлении. Биполярный транзистор может также быть проанализирован, если подключить базу и коллектор или базу и эмиттер.
Одним измерением можно определить назначение выводов выпрямительного моста.
Время тестирования большинства элементов составляет приблизительно 2 секунды. Измерение ёмкости или индуктивности могут увеличить время тестирования.
Комплектация:
Тестер, руководство пользователя
Это прибор очень прост в использовании. Проверяет SMD компоненты, тестирует различные диоды, транзисторы, тиристоры, mosfet транзисторы.
Определеняет тип подключенного компонента, цоколевку, коэффициент hFE (коэффициент усиления по току) транзисторов.
Характеристики:
Измерение сопротивления: 0-50 МОм. Разрешение: 0.01 Ом
Измерение ёмкости: 25пФ-100мФ. Разрешение: 1пФ
Измерение индуктивности: 0.01мГ-20Г. Разрешение: 0.01мГ
Питание батарея 6LR61
Разрешающая способность при измерении ESR - Equivalent Series Resistance (Эквивалентное Последовательное Сопротивление): 0.01 Ом
Запуск - однократное нажатие кнопки TEST с автоотключением.
Автоматическое определение N-P-N и P-N-P биполярных транзисторов, N- и P-канальных MOSFET транзисторов, JFET транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
Автоматическое определение расположения выводов элемента.
Измерение коэффициента усиления и порогового напряжения база-эмиттер биполярного транзистора.
Транзисторы Дарлингтона идентифицируются по пороговому напряжению и коэффициенту усиления.
Обнаружение защитного диода в биполярных и MOSFET транзисторах.
Измерение порогового напряжения затвора и величины ёмкости затвора MOSFET.
Измерение одного или двух резисторов с изображением символа резистора и точностью до 4 десятичных цифр. Все символы пронумерованы соответственно номерам щупов Тестера (1-2-3).
ESR конденсатора измеряется с разрешением 0.01 Ом для конденсаторов ёмкостью более 20 мкФ и отображается числом с двумя значащими десятичными цифрами.
Светодиоды (LED) определяется как диоды с прямым напряжением выше, чем у обычного диода. Два светодиода в одном 3-х выводном корпусе также определяются, как два диода.
Стабилитроны могут быть определены, если их обратное напряжение пробоя ниже 4,5 В. Они отображаются, как два диода, и могут быть идентифицированы, как стабилитроны, только по напряжению. Номера выводов, соответствующие символу диода, в этом случае, идентичны.
Измерение величины ёмкости одиночного диода в обратном направлении. Биполярный транзистор может также быть проанализирован, если подключить базу и коллектор или базу и эмиттер.
Одним измерением можно определить назначение выводов выпрямительного моста.
Время тестирования большинства элементов составляет приблизительно 2 секунды. Измерение ёмкости или индуктивности могут увеличить время тестирования.
Комплектация:
Тестер, руководство пользователя
Задать вопрос